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Modele de lithographie

By lizzy, February 18, 2019

Le développement de nouveaux noeuds de fabrication est toujours plein d`aventure et de découverte. Alors que nous voyons habituellement les défis d`un nouveau nœud qui se profile à l`horizon comme une tempête en mer, il n`est pas jusqu`à ce que le développement actif est bien en cours que nous obtenons un bon regard sur les eaux. En ce moment pour la lithographie 10Nm-nous sommes toujours à la recherche dans la tempête, même si elle se rapproche. La bonne nouvelle, c`est que nous découvrons des moyens qui nous aideront à tracer un passage sûr. Comme vous pouvez vous y attendre, 14Nm est le pionnier, mais nous développons des stratégies pour le processus au-delà dans son propre droit. Dans le contexte, ce que nous voyons ici est un contraste entre les stratégies actuelles et proposées. Le développement de modèles prend généralement 5-15 jours pour la génération de modèles de test, la configuration de la recette de métrologie et la collecte de données CD SEM, et un autre 12-30 jours pour l`optimisation et la vérification des modèles. Le logiciel avancé de flux de modèle peut réduire le temps-à-modèle total par 7-20 jours pour la lithographie de 10Nm. John Sturtevant est le directeur des solutions de modélisation et de vérification chez Mentor Graphics. Les flux d`étalonnage du modèle emploient généralement moins de 16 CPU pour optimiser les degrés de liberté associés aux modèles de masque, d`optique, de résistance et de gravure. En outre, ces modèles ont été réglés de façon sérielle.

La nouvelle plate-forme s`adapte à plus de 1 000 cœurs, ce qui offre le potentiel d`un calibrage de modèle considérablement plus rapide. Ceci est particulièrement vrai pour le «mode d`étalonnage conjoint» de la plateforme où les paramètres de masque, d`optique et de résistance sont simultanément réglés. Une telle approche est montrée pour produire jusqu`à 17% de modèles finaux plus précis. LA FIGURE 1. Vers une réduction de 50% du temps de cycle de modélisation pour la lithographie de 10 nm (Mentor Graphics) Enfin, nous devons mentionner une plate-forme d`étalonnage de modèle innovante qui présente une nouvelle architecture pour la parallélisation, de nouvelles routines d`optimisation, une nouvelle base de données et un INTERFACE graphique améliorée. Il devrait fournir au moins une amélioration de 3X dans le temps-à-modèle pour la lithographie de 10Nm. Les réductions de temps de cycle et une plus grande précision des nouvelles technologies discutées ici seront un facteur clé pour les équipes OPC dans les années à venir. S`inspirant de nouveaux modèles et de nouveaux outils de calibrage de modélisation avancés, je pense que nous allons survivre aux eaux du développement de la lithographie à 10Nm avec une certaine confiance. Le point crucial tout au long de la simulation de lithographie est la solution des équations de Maxwell. Plusieurs méthodes pour la solution numérique des équations de Maxwell ont été proposées, allant des modèles scalaires verticaux simples aux approches rigoureuses basées sur les discrétisation FEM des équations de Maxwell.

Nous avons utilisé une extension tridimensionnelle de la méthode différentielle [32], qui sera récapitulée dans ce qui suit. La précision n`est pas la seule considération.